一、基片外觀檢查和吸水率檢測

　　檢查介質陶瓷基片是否表面色澤均勻、平整、無裂縫、毛刺等；一同，介質陶瓷基片的吸水率應當處于為0.08％~0.35％ 的范圍內。

　　二、清洗陶瓷基片

　　將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈；將陶瓷基片放入洗片盒子中，用無水酒精進行清洗。超聲波電壓調為150±50V，清洗時間為20±2min，之后用棉簽悄悄擦洗陶瓷基片；再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑（濃度為5％）清洗，超聲波輸出電壓調150±50V，清洗時間為20±2min，有需要浸沒全部基片；然后，用去離子水清洗20±2min，在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗結束后，將基片取出。

　　三、燒結

　　將全部基片放入高溫爐中燒結，燒結溫度為600±100℃，保溫時間為60±30min。

　　四、真空濺射

　　設置濺射參數，對濺射機進行腔體加熱，對濺射機進行腔體加熱的溫度為150℃~400℃?；x用自轉和公轉方法，前進膜厚致性，選用直流濺射的方法進行濺射，一同選用在線監測體系，實時監測濺射膜厚。先濺射過渡層鈦鎢合金靶材，再濺射Au靶材，然后濺射Ni靶材。其間，濺射過渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時間為100s~600s；濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時間為800s~1200s；濺射Ni靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時間為2800s~3800s。真空濺射完結后，關掉加熱設備，待爐溫冷卻至少8h后，將基片取出。

　　五、熱處理

　　將濺射完結的基片進行真空熱處理，真空度高于10-2pa，真空熱處理溫度為200℃~700℃，熱處理時間為20~72h。

　　六、切開

　　將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上，設置主軸的轉速和切開速度進行切開。其間，主軸轉速設置為26000~34000轉/分，切開速度設置為0.3~0.8mm/s；切開時先進行小樣切開，依據小樣產品電性能進行切開標準參數調整，前進產品的命中率。切開后除去邊角料；用酒精脫水，選用70℃~150℃的溫度，烘干時間設置為30min。

　　七、分選

　　對單層芯片電容進行外觀、電容量和損耗分選，除去不合格品。

　　八、對芯片電容進行100％溫度沖擊和電壓處理選擇。

　　九、包裝

　　將產品裝入華夫托盤后進行入盒包裝。

　　這款單層芯片電容及其制備方法，在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測驗，在基片清洗工序后增加了基片燒結工序進一步除去雜質，有用選擇了基片質量和前進了真空濺射工序電極附著力。一同，在真空濺射關鍵工序中增加了在線測驗體系，有用操控了各種資料濺射層厚度，避免了設備參數動搖帶來影響，前進了產品的一致性和可靠性。在陶瓷金屬化過程中，選用全濺射方法，減少了電鍍工序帶來的影響。

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